自5 0年代未第一只晶闸管问世以来,电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台, 以此为基础开发的可控硅整 流装置,是电气传动领域的一次革命,使电能的变换和制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代,这标志着电力电子的诞生。进入 7 O年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品,普通晶闸管不能自关断的半控型器件,被称为第一代电力电子器件。随着电力电子技术理论研究和制造工艺水平的不断提高,电力电子器件在容易和类型等方面得到了很大发展, 是电力电子技术的又一次飞跃,先后研制出 G T R . G T O, 功率 MO S F E T等 自关断全控型第二代电力电子器件。而以绝缘栅双极晶体管( I G B T ) 为代表的第三代电力电子器件, 开始向大容易高频率、响应快、低损耗方向发展。而进入9 0年代电力电子器件正朝着复台化、标准模块化、智能化、功率集成的方向发展,以此为基础形成一条以电力电子技术理论研究,器件开发研制,应用渗透性,在国际上电力电子技术是竞争最激烈的高新技术领域。 4 _3 b' N" h6 @, j( D! W- r4 s, z3 C
一、电力电子器发展回顾 7 P/ N1 N6 r Y' o) h j7 a5 f8 j+ E8 x0 n# t) Z- P. Q7 a |+ }# g
整流管是电力电子器件中结构最简单,应用最广泛的一种器件。目前已形成普通型, 快恢复型和 肖特基型三大系列产品, 电力整流管对改善各种电力 电子电路的性能, 降低 电路损耗和提高电流使用效率等方面都具有非 常重要 的作 用。 自 1 9 5 8年美国通用电气 G E公司研制出第一个工业用普通晶闸管开始,其结构的改进和工艺的改革为新器件开发研制奠定了基础, 在以后的十年间开发研制出双向, 逆变、 逆导、 非对称晶闸管, 至今晶闸管系列产品仍有较为广泛的市场。 6 j$ Y" c' Z) q( F( J' r ! E4 ^; r3 g$ _ 上世纪 7 O年代研制出 G T R系列产品, 其额定值已达 1 . 8 k V / 0 . 8 k A / 2 k H Z, 0 . 6 k V / 0 . 0 0 3 k A / 1 0 0 k H Z , 它具有组成的电路灵活成熟 , 开关损耗小、 开关时间短等特点,在中等容量、 等频率的电路中应用广泛, 而作为高性能, 大容量的第三代绝缘栅型双极性晶体管 I G B T, 因其具有电压型控制, 输入阻抗大、 驱动功率小, 开关损耗低及工作频率高等特点 , 其有着广阔的发展前景。而 I G C T是最近发展起来 的新型器件, 它是在G T O基础上发展起来 的器件, 称为集成 门极换流晶闸管, 也有人称之为发射极关断晶闸管, 它的瞬时开关频率可达 2 0 k H Z ,关断时间为 1 s , d i l d t 4 k A / m s , d u / d t l 0—2 0 k V / ms , 开关时间 < 2 k s 导通压降 3 6 0 0 A时, 2 . 8 V, 开关频率 >1 0 0 0 H z 。 & x( Q5 h( h- {# c ! {+ s1 {# u9 r3 N2 d! m二、电力电子器件发展趋势! t2 R) z1 g- I3 b& h+ m$ \& q$ Z; f
5 j/ _! t4 q7 s5 y; a9 y 进入 9 0年代电力电子器件的研究和开发 ,已进入高频化,标准模块化,集成化和智能时代。高频化是今后电力电子技术创新的主导方向, 而硬件结构的标准模块是器件发展的必然趋势,目前先进的模块, 已经包括开关元件和与其反向并联 的续流二极管在内及驱动保护电路多个单元, 并都以标准化和生产出系列产品, 并且可以在一致性与可靠性上达到极高的水平。日本新电元公司的 I P M智能化功率模块的主要特点是: 7 V' S$ _. d- |4 N( J% F
' X `* e2 e% P9 I$ K& _1、其功率芯片采用的是开关速度高, 驱动电流小的 I G - B T, 且 自带电流传感器, 可以高效地检测出过电流和短路电流,给功率芯片以安全的保护。 " k* ~; [. |; I1 ]1 |) J! j3 \ / a, K6 {+ e u2、在内部配线上将电源电路和驱动电路 的配线长度控制到最短,从而很好地解决了浪涌电压及噪声影响误动作等问题 。 % s, ?# J9 D& J1 Q- `0 P5 k: R! ]; C
3、自带可靠的安全保护措施 , 当故障发生时能及时关断功率器件并发出故障信号, 对芯片实施双重保护, 以保证其运行的可靠性。 ! l9 I/ S+ i% c7 ?5 B
: e2 t0 w7 D V4 I+ f/ l三、电力电子技术创新: v3 d4 q1 G/ w" z( m